陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚 (0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993 年10月开始投入批量生产。
集成电路封装: L－QUAD
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集成电路封装: L－QUAD
IC Packaging: L－QUAD
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚 (0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993 年10月开始投入批量生产。
陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚 (0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993 年10月开始投入批量生产。
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