碳纳米晶体管

碳纳米晶体管 Carbon Nanotub

由碳纳米管(Carbon Nanotube)作为沟道导电材料制作而成的晶体管(Transistor)。第一个碳纳米晶体管(Carbon Nanotube Transistor)阵列，是由IBM的研究人员制造出来的，利用这一突破性的晶体管技术，制造的芯片将比硅芯片更小更快。
碳纳米晶体管阵列所利用的碳纳米晶体管是有碳原子排列而成的微小圆柱体，比现在的硅晶体管小100倍，而且不用对他们逐个处理，即不用从大量的纳米光中去费力的寻找有用的电子属性个体。研究表明，碳纳米晶体管性能上可以和硅一争高低， 而且碳纳米晶体管可以制造的更小。在未来，硅芯片已经不能被制造得更小，因而必须寻找新的的制造计算机芯片的材料，碳纳米晶体管将是很好的选择。
2017年，北京大学开发出栅长5纳米的碳纳米管场效应晶体管，宣称其性能超过相同尺寸的硅晶体管。碳纳米管晶体管的栅电容更小，即使硅基设备缩小到碳纳米管设备相同尺寸，后者的开关速度仍然更快。10纳米碳纳米管CMOS栅电容导致的延迟大约为70飞秒，仅为Intel 14纳米硅基CMOS的三分之一。9月，美国研究人员成功制备出一种碳纳米晶体管，其性能首次超越现有硅晶体管，有望为碳纳米晶体管将来取代硅晶体管铺平道路。
预计，碳纳米管电子产品有望在2022年取代硅基CMOS。