纳米电子器件分类

纳米电子器件分类 nano-electronic components classification

基于目前的发展和对未来的预测, 如果将主要纳米电子器件进一步分类, 则有：
纳米CMOS器件主要有绝缘层上硅MOSFET、硅一锗异质MOSFET、低温MOSFET、双极MOSFE T、本征硅沟道隧道型MOSFET等; 
量子效应器件包括量子干涉器件、量子点器件和谐振隧道器件； 谐振隧道器件又包括横向谐振遂道器件、谐振隧道晶体管, 谐振隧道场效应晶体管( RTEET)、双极量子谐振隧道晶体管、谐振隧道热电子晶体管、纵向谐振隧道器件和隧道势垒调制晶体管等; 单原子器件和单分子器件包括单电子开关、单原子点接触器件、单分子开关、分子线、量子效应分子电子器件、电化学分子电子器件等；
纳米传感器将包括量子隧道传感器和纳米生物传感器;  纳米集成电路包括纳米电子集成电路和纳米光电集成电路； 纳米存储器包括超高容量纳米存储器、超高密度数据存储器、隧道型静态随机存储器、单电子硅基MOS存储器、单电子存储器、单电子量子存储器; 
纳米CMOS混合电路包括纳米CMOS电路和III-V族化合物半导体共振隧道效应电路, 纳米CMOS电路和单电子纳米开关电路, 纳米CMOS 电路和超导单磁通量子电路, 纳米CMOS电路和碳纳米管电路, 纳米CMOS电路和人造原子电路与人造分子电路, 纳米CMOS电路和DNA电路, 纳米CMOS电路和纳米金属基自旋电路等主流电路的联姻, 为纳米电子学开创了全新的发展。
纳米单电子器件是采用纳米电子材料和纳米光刻技术研制出的纳米电子器件, 主要有: 电子共振隧穿器件、电子谐振隧穿器件、共振二极管( RTD )、三端的共振隧穿晶体管(RTT)、单电子晶体管(SET)、单岛单电子晶体管(SET)、金属基SET、半导体SET、纳米粒子SET、多岛SET、单电子静电计、单电子存储器( SEM )、单电子逻辑电路、单电子CMOS电路、金属基单电子晶体管(SET) 存储器、半导体SET存储器、硅纳米晶体制造的存储器、纳米浮栅存储器、单电子数字集成电路、单电子晶体管(SET )逻辑集成电路、纳米硅微晶薄膜器件(如谐振隧穿二极管(RTD)) 和聚合体电子器件等。
电子波器件包括电子波干涉器件、短线波导型干涉器件、MachZender干涉计( 静电干涉器件)、定向祸合器件、衍射器件、量子线沟道场效应晶体管(FET)、平面超晶格FET、电子速度调制FET谐振隧穿器件等。
量子波器件这类器件中的电子处于相位相干结构中, 其行为以波动性为主, 这类器件包括量子线晶体管、量子干涉器件、谐振隧穿二极管晶体管等。