硅纳米线

硅纳米线 siliconnanowire

硅纳米线是一种新型的一维半导体纳米材料，线体直径一般在10 nm 左右，内晶核是单晶硅，外层有一SiO2 包覆层。
硅纳米线是一种新型的一维半导体纳米材料，线体直径一般在10 nm 左右，内晶核是单晶硅，外层有一SiO2 包覆层，由于自身所特有的光学、电学性质如量子限制效应及库仑阻塞效应引起了科技界的广泛关注，在微电子电路中的逻辑门和计数器、场发射器件等纳米电子器件、纳米传感器及辅助合成其它纳米材料的模板中的应用研究已取得了一定的进展。目前纳米电子器件的制备方法主要有两种，即“自上而下”法和“自下而上”法。所谓自上而下是指从体材料出发，利用薄膜生长和纳米光刻技术（电子束光刻等）制备纳米结构和器件；而自下而上是指从原子分子出发，自组装生长出所需要的纳米材料与结构，这就要求在材料的生长过程中对其结构、组分、大小和位置进行控制，从而直接生长出具有所需要的结构及性能的纳米器件。而目前研究硅纳米线纳米电子器件主要集中于自上而下的制备方法，即微电子器件制备工艺的基础上，对其进行改进以制备纳米电子器件，而采用自下而上的方法来研究硅纳米线纳米电子器件还处于初始阶段。
纳米线是一种在横向上被限制在100纳米以下,纵向上没有限制的一维材料。纳米线也被称为“量子线”,因为在这个尺度上,量子力学效应表现的非常明显。 、 根据组成材料的不同,纳米线可分为不同的类型,包括金属纳米线(如:Au, Ni, Pt等),半导体纳米线(如:Si,InP, GaN等)和绝缘体纳米线(如:Si02, Ti02等)。分子纳米线由重复的分子元组成,可以是有机的(如:DNA)或者是无机的(如:Mo6S9-xIx)。
由于在纳米尺度下受到量子效应的影响,纳米线表现出与许多在块体结构截然不同的性质,特别是在电学方面。纳米线的导电性预期将远远小于块体材料。