纳米氧化锌(ZnO)半导体材料

纳米氧化锌(ZnO)半导体材料 nano ZnO

近来，纳米氧化锌(ZnO)半导体材料的应用研究已成为世界范围内半导体材料领域的研究热点。ZnO是宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度Eg=3．37eV，激子束缚能约为60meV，有望替代GaN材料，在发光和敏感器件的生产中得到应用。目前，世界范围内的一些研究小组已开展了利用一维ZnO纳米线组装场效应器件的初步研究，但仍存在不少问题，有待进一步分析研究。
ZnO纳米带、纳米棒、纳米线等一维纳米ZnO已经成功被应用于场效应晶体管。在Si02栅极绝缘层沉积并用电子束刻蚀出Au的源电极和漏电极。经过充分分散的ZnO纳米线分布于两极之间，Si02栅极绝缘层下面是高度掺杂的si层，作为晶体管的栅极。通过控制栅极的电压，进而可以控制电流从源电极流向漏电极。ZnO纳米线FET具有很出色的的性能，凭借着性能的优势．ZnO纳米线FET很有可能替代传统的硅MOSFET，使集成电路的尺寸朝着更小的方向发展，ZnO纳米线FET有可能会成为下一代集成电路晶体管。
ZnO纳米结构具有多样化，有纳米线、纳米管、纳米棒、纳米带、纳米梳、纳米弓、纳米弹簧等新型结构，并且在纳米光电器件、压电器件、气敏传感器等领域得到广泛应用。