FinFET晶体管 或 鳍式场效应晶体管

FinFET晶体管 或 鳍式场效应晶体管 Fin Field-Effect Transistor

FinFET全称Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。
该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明(Chenming Hu)教授 。2000年凭借FinFET获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖(DARPA Most Outstanding Technical Accomplishment Award)。
 FinFET源自于传统标准的晶体管-场效应晶体管 (Field-Effect Transistor;FET)的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。

英特尔公布的FinFET的电子显微镜照片
在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET，使用在其22纳米节点的工艺上。从Intel Core i7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低，面积小的优点，台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)等主要半导体代工已经开始计划推出自己的FinFET晶体管，为未来的移动处理器等提供更快，更省电的处理器。从2012年起，FinFET已经开始向20纳米节点和14纳米节点推进。