根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

半导体照明方面,蓝光LED用衬底材料划分技术路线。GaN基半导体,衬底材料的选择包括蓝宝石((Al2O3)、SiC、Si、GaN以及AlN等。前三种材料各有优劣,后两者产业化为时尚远。蓝宝石应用最广,成本较低,不过导电性差、热导率低;单晶硅衬底尺寸最大、成本最低,但存在先天性晶格失配与热失配;碳化硅性能优越,但衬底本身的制备技术有难度。
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