宽禁带半导体（WBS）---第三代半导体

宽禁带半导体（WBS）材料---第三代半导体 wide bandgap semiconductors---the 3rd generation semiconductor

宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料，禁带宽度大于2eV，这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化镓、）AlN（氮化铝）、ZnSe（硒化锌）以及金刚石等。
发展较好的宽禁带半导体主要是SiC和GaN，其中SiC的发展更早一些，碳化硅SiC、氮化镓GaN、硅Si以及砷化镓GaAs的一些参数如下图所示：

            宽禁带半导体材料（第一代~第三代）的重要参数对比
SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs，相应的本征载流子浓度小于Si和GaAs，宽禁带半导体的最高工作温度要高于第一、第二代半导体材料。击穿场强和饱和热导率也远大于Si和GaAs。