国家重大科技专项是为了实现国家目标,通过核心技术突破和资源集成,在一定时限内完成的重大战略产品、关键共性技术和重大工程,是我国科技发展的重中之重。《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006━2020年)》确立实施国家科技重大专项有16个,实施时间为2006-2020年,每个投资数百亿元。其中的02科技重大专项为集成电路专项。
集成电路专项于2008年开始启动实施。总体目标是开展集成电路制造装备、成套工艺和材料技术攻关,掌握核心技术,开发关键产品,实现产业自主创新发展。2008年集成电路专项实施以来,共有200多家企事业单位,2万多名科研人员参与技术攻关,主要集中在北京、上海、江苏、沈阳、深圳和武汉等6个重点产业聚集区。
集成电路(02)专项围绕集成电路制造产业链布局创新链,集聚和培育了一大批高端人才,大幅提升了我国集成电路自主创新能力、产业发展能力,极大促进了学科建设,成果填补了一大批关键装备、材料等产业链空白。
“十二五”期间重点实施的内容和目标分别是:重点进行45-22纳米关键制造装备攻关,开发32-22纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺、90-65纳米特色工艺,开展22-14纳米前瞻性研究,形成65-45纳米装备、材料、工艺配套能力及集成电路制造产业链,进一步缩小与世界先进水平差距,装备和材料占国内市场的份额分别达到10%和20%,开拓国际市场。
十三五继续大力推进02专项。面向2020年,02专项将进一步围绕移动通讯、大数据、新能源、智能制造、物联网等重点领域大宗产品制造需求,进行工艺、装备和关键材料的协同布局,推动全产业链专项成果的规模化应用,促进产业生态的改善和技术升级,实现技术促进产业发展目标。
9年来的主要成果包括:
1、高端装备和材料从无到有,填补产业链空白,形成良性发展的产业生态。 研制成功14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品,性能达到国际先进水平,通过了大生产线的严格考核,开始批量应用并出口到海外,从而实现了从无到有的突破,建立起了完整的产业链,使我国集成电路制造技术体系和产业生态得以建立和完善。国内主要配套零部件配套体系初步形成。
2、制造工艺与封装集成由弱渐强,技术水平实现跨越,国际竞争力大幅提升。 主流工艺水平提升了5代,55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产,22、14纳米先导技术研发取得突破,形成了自主知识产权;封装企业从低端进入高端,三维高密度集成技术达到了国际先进水平。
综合而言,在刻蚀机等关键装备实现从无到有,批量应用在大生产线上;成套工艺水平提升5代,55/40/28纳米三代工艺完成研发实现量产,20-14纳米工艺研发取得突破;后道封装集成技术成果全面实现量产,引领全行业技术水平从低端跨入高端,实现与世界同步;抛光剂和溅射靶材等上百种关键材料通过大生产线考核进入批量销售。
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