薄膜再分布技术

薄膜再分布技术 film redistribution technology

薄膜再分布技术是指在IC圆片上，将各个芯片按周边分布的I／O铝焊区，通过薄膜工艺的再布线，变换成整个芯片上的阵列分布焊区并形成焊料凸点的技术。它不仅生产成本低，而且能完全满足批量生产便携式电子装置板级可靠性标准的要求，是目前应用最广泛的一种技术。K&S公司、Apack公司、UnitiveElectronics公司、Fraunhoferlnstitute公司和Amkor公司是应用薄膜再分布技术的代表性公司。 
常规工艺制成的IC圆片经探针测试分类并给出相应的标记后就可用于圆片级封装。在封装之前，首先要对IC芯片的设计布局进行分析与评价，以保证满足阵列焊料凸点的各项要求。其次，要进行再分布布线设计。再分布布线设计分为初步设计和改进设计两个阶段进行。初步设计是将芯片上的I／O铝焊区通过布线再分布为阵列焊区，目的在于证实圆片级封装的可行性。按初步设计制造的圆片级封装，在设计、结构、成本等方面不一定是最佳的。圆片级封装的可行性将到验证之后，就可将初步设计阶段转入改进设计阶段。在这一阶段，要对初步设计进行改进，重新设计信号线、电源线和接地线，简化工艺过程及相关设备，以求获得生产成本最低的再分布布线设计。 
薄膜再分布技术的具体工艺过程比较复杂，而且随着IC芯片的不同而有所变化，但一般都包含以下几个基本的工艺步骤：  ①在IC圆片上涂复金属布线层间介质材料；  ②沉积金属薄膜并用光刻方法制备金属导线和所连接的凸点焊区。这时，IC芯片周边分布、小至几十微米的铝焊区就转成阵列分布的几百微米大的凸点焊区，而且铝焊区和凸点焊区之间有金属导线相连接；  ③在凸点焊区沉积UBM(凸点下金属层)；  ④在UBM上制作焊料凸点。